半導体チップ製造工の待遇(2014年)
▼その他の年のデータ
ここでは2014年(平成26年)の賃金構造基本統計調査(全国)結果による,半導体チップ製造工の月収・ボーナス・残業時間等を紹介しています.
半導体チップ製造工の給与等の待遇
半導体チップ製造工の給与等の待遇は次の通りです.
2014年 | きまって支給する現金給与額 | 年間賞与等 | 年収試算 |
男女計 | 33.83万円 | 83.08万円 | 489.04万円 |
男 | 35.34万円 | 89.16万円 | 513.24万円 |
女 | 26.31万円 | 52.82万円 | 368.54万円 |
(注1) | 「きまって支給する現金給与額」とは労働協約,就業規則等によってあらかじめ定められている支給条件,算定方法によって支給される給与でいわゆる基本給,家族手当,超過労働手当を含んでおり,所得税等を控除する前の額のことです(2014年6月分の数値). |
(注2) | 「年収試算」は「きまって支給する現金給与額×12+年間賞与等」で試算しています. |
(注3) | 「年間賞与等」は前年(2013年)中に支給された金額(1年間)です. |
半導体チップ製造工の労働時間等の待遇
半導体チップ製造工の労働時間等の待遇は次の通りです.
2014年 | 年齢 | 勤続年数 | 超過労働時間 |
男女計 | 41.1歳 | 15.8年 | 25時間 |
男 | 41.1歳 | 16.0年 | 27時間 |
女 | 41.5歳 | 15.0年 | 20時間 |
(注) | 「超過労働時間」とは事業所の就業規則などで定められた所定労働日における始業時刻から終業時刻までの時間以外に実際に労働した時間数及び所定休日において実際に労働した時間数のことです(1ヶ月間). |
半導体チップ製造工とは
▼仕事の概要
シリコンウェハに薄膜形成・不純物拡散・パターン形成を何回もくりかえし,シリコンウェハ上に多数のICチップを作る作業工程(一般にウェハ工程又は前工程とよばれる)に従事する者をいいます.
▼説明
ウェハの酸化,感光材塗布,露光・現像,エッチング,不純物注入,CVDによる絶縁膜や導電体膜形成,プローブ検査等の業務に従事する者をいいます.
▼注意
半導体ウェハ製造工,半導体ダイシング工,半導体組立工,半導体封止工,半導体外装処理工は含まれません.
▼除外
次の場合は半導体チップ製造工から除外されます.
- ディスクリート(トランジスター等の個別半導体)の製造に従事する者
- 半導体集積回路の企画・設計に従事する者
- 半導体組立工程(一般に後工程とよばれ,プローブ検査を終了したウェハをチップ毎に切断するダイシング工程に始まり,良品チップをリードフレームやパッケージの所定位置に接着するダイボンティング工程,ICチップ上のパッドとそれに隣接するリードフレームの端子との間を金属ワイヤで接続するワイヤボンティング工程,以下パッケージの上面に製造メーカーの印等を捺印するマーキング工程に至るまでの工程)に従事する者
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